何謂蝕刻(Etch)? 

　　答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。 

蝕刻種類?

　　答：(1) 干蝕刻(2) 濕蝕刻 

蝕刻對象依薄膜種類可分為?

　　答：poly,oxide, metal 

半導體中一般金屬導線材質為何? 

　　答：鵭線(W)/鋁線(Al)/銅線(Cu) 

何謂 dielectric 蝕刻(介電質蝕刻)? 

　　答：Oxide etch and nitride etch 

半導體中一般介電質材質為何? 

　　答：氧化硅/氮化硅 

何謂濕式蝕刻？ 

　　答：利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除 

何謂電漿 Plasma? 

　　答：電漿是物質的第四狀態.帶有正,負電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負離子,中性分子,活性基及發散光子等,產生電漿的方法可使用高溫或高電壓. 

何謂干式蝕刻? 

　　答：利用plasma將不要的薄膜去除 

何謂Under-etching(蝕刻不足)? 

　　答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應被去除的薄膜仍有殘留 

何謂Over-etching(過蝕刻 ) ？

　　答：蝕刻過多造成底層被破壞 

何謂Etch rate(蝕刻速率) ？

　　答：單位時間內可去除的蝕刻材料厚度或深度 

何謂Seasoning(陳化處理) ？ 

　　答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩定制程條件，使用仿真（dummy） 晶圓進行數次的蝕刻循環。 

Asher的主要用途？

　　答：光阻去除 

Wet bench dryer 功用為何? 

　　答：將晶圓表面的水份去除 

列舉目前Wet bench dry方法？

　　答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry 

何謂 Spin Dryer ？

　　答：利用離心力將晶圓表面的水份去除 

何謂 Maragoni Dryer ？

　　答：利用表面張力將晶圓表面的水分去除 

何謂 IPA Vapor Dryer ？

　　答：利用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除 

測Particle時,使用何種測量儀器? 

　　答：Tencor Surfscan 

測蝕刻速率時,使用何者量測儀器? 

　　答：膜厚計,測量膜厚差值 

何謂 AEI？ 

　　答：After Etching Inspection 蝕刻后的檢查 

AEI目檢Wafer須檢查哪些項目？

　　答：(1) 正面顏色是否異常及刮傷 (2) 有無缺角及Particle (3)刻號是否正確 。

金屬蝕刻機臺轉非金屬蝕刻機臺時應如何處理? 

　　答：清機防止金屬污染問題 

金屬蝕刻機臺asher的功用為何? 

　　答：去光阻及防止腐蝕 

金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進行清洗? 

　　答：因為金屬線會溶于硫酸中 

"Hot Plate"機臺是什幺用途? 

　　答：烘烤 

Hot Plate 烘烤溫度為何? 

　　答：90~120 度C 

何種氣體為Poly ETCH主要使用氣體? 

　　答：Cl2, HBr, HCl 

用于Al 金屬蝕刻的主要氣體為？ 

　　答：Cl2, BCl3 

用于W金屬蝕刻的主要氣體為？ 

　　答：SF6 

何種氣體為oxide vai/contact ETCH主要使用氣體? 

　　答：C4F8, C5F8, C4F6 

硫酸槽的化學成份為？

　　答：H2SO4/H2O2 

AMP槽的化學成份為: 

　　答：NH4OH/H2O2/H2O？

UV curing 是什幺用途? 

　　答：利用UV光對光阻進行預處理以加強光阻的強度 

"UV curing"用于何種層次? 

　　答：金屬層 

何謂EMO? 

　　答：機臺緊急開關 

EMO作用為何? 

　　答：當機臺有危險發生之顧慮或已不可控制,可緊急按下 

濕式蝕刻門上貼有那些警示標示? 

　　答：(1) 警告.內部有嚴重危險.嚴禁打開此門 (2) 機械手臂危險. 嚴禁打開此門 (3) 化學藥劑危險. 嚴禁打開此門 

遇化學溶液泄漏時應如何處置? 

　　答：嚴禁以手去測試漏出之液體. 應以酸堿試紙測試. 并尋找泄漏管路. 

遇 IPA 槽著火時應如何處置?? 

　　答：立即關閉IPA 輸送管路并以機臺之滅火器滅火及通知緊急應變小組 

BOE槽之主成份為何? 

　　答：HF(氫氟酸)與NH4F(氟化銨). 

BOE為那三個英文字縮寫 ? 

　　答：Buffered Oxide Etcher 。 

有毒氣體之閥柜(VMB)功用為何? 

　　答：當有毒氣體外泄時可利用抽氣裝置抽走,并防止有毒氣體漏出 

電漿的頻率一般13.56 MHz,為何不用其它頻率? 

　　答：為避免影響通訊品質,目前只開放特定頻率,作為產生電漿之用,如380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等 

何謂ESC(electrical static chuck) ？

　　答：利用靜電吸附的原理, 將 Wafer 固定在極板 (Substrate) 上 

Asher主要氣體為 ？

　　答：O2 

Asher機臺進行蝕刻最關鍵之參數為何? 

　　答：溫度 

簡述TURBO PUMP 原理 ？

　　答：利用渦輪原理,可將壓力抽至10-6TORR 

熱交換器(HEAT EXCHANGER)之功用為何？ 

　　答：將熱能經由介媒傳輸,以達到溫度控制之目地 

簡述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理？ 

　　答：藉由氦氣之良好之熱傳導特性,能將芯片上之溫度均勻化 

ORIENTER 之用途為何？　 

　　答：搜尋notch邊,使芯片進反應腔的位置都固定,可追蹤問題 

簡述EPD之功用 ？

　　答：偵測蝕刻終點;End point detector利用波長偵測蝕刻終點 

何謂MFC？ 

　　答：mass flow controler氣體流量控制器;用于控制 反應氣體的流量 

GDP 為何? 

　　答：氣體分配盤(gas distribution plate) 

GDP 有何作用？ 

　　答：均勻地將氣體分布于芯片上方 

何謂 isotropic etch? 

　　答：等向性蝕刻;側壁側向蝕刻的機率均等 

何謂 anisotropic etch? 

　　答：非等向性蝕刻;側壁側向蝕刻的機率少 

何謂 etch 選擇比? 

　　答：不同材質之蝕刻率比值 

何謂AEI CD? 

　　答：蝕刻后特定圖形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension) 

何謂CD bias? 

　　答：蝕刻CD減蝕刻前黃光CD 

簡述何謂田口式實驗計劃法? 

　　答：利用混合變因安排輔以統計歸納分析 

何謂反射功率? 

　　答：蝕刻過程中,所施予之功率并不會完全地被反應腔內接收端所接受,會有部份值反射掉,此反射之量,稱為反射功率 

Load Lock 之功能為何? 

　　答：Wafers經由loadlock后再進出反應腔,確保反應腔維持在真空下不受粉塵及濕度的影響. 

廠務供氣系統中何謂 Bulk Gas ? 

　　答：Bulk Gas 為大氣中普遍存在之制程氣體, 如 N2, O2, Ar 等. 

廠務供氣系統中何謂Inert Gas? 

　　答：Inert Gas 為一些特殊無強烈毒性的氣體, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等. 

廠務供氣系統中何謂Toxic Gas ? 

　　答：Toxic Gas 為具有強烈危害人體的毒性氣體, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等. 

機臺維修時,異常告示排及機臺控制權應如何處理? 

　　答：將告示牌切至異常且將機臺控制權移至維修區以防有人誤動作 

冷卻器的冷卻液為何功用 ? 

　　答：傳導熱 

Etch之廢氣有經何種方式處理 ? 

　　答：利用水循環將廢氣溶解之后排放至廢酸槽 

何謂RPM? 

　　答：即Remote Power Module,系統總電源箱. 

火災異常處理程序 

　　答：(1) 立即警告周圍人員. (2) 嘗試 3 秒鐘滅火. (3) 按下EMO停止機臺. (4) 關閉 VMB Valve 并通知廠務. (5) 撤離. 

一氧化碳(CO)偵測器警報異常處理程序 ？

　　答：(1) 警告周圍人員. (2) 按 Pause 鍵,暫止 Run 貨. (3) 立即關閉 VMB 閥,并通知廠務. (4) 進行測漏. 

高壓電擊異常處理程序 ？

　　答：(1) 確認安全無慮下,按 EMO鍵(2) 確認受傷原因(誤觸電源,漏水等)(3) 處理受傷人員

T/C (傳送Transfer Chamber) 之功能為何 ? 

　　答：提供一個真空環境, 以利機器手臂在反應腔與晶舟間傳送 Wafer,節省時間. 

機臺PM時需佩帶面具否 ？

　　答：是,防毒面具 

機臺停滯時間過久run貨前需做何動作？ 

　　答：Seasoning(陳化處理) 

何謂日常測機 

　　答：機臺日常檢點項目, 以確認機臺狀況正常 

何謂WAC (Waferless Auto Clean) ？

　　答：無wafer自動干蝕刻清機 

何謂Dry Clean ？

　　答：干蝕刻清機 

日常測機量測etch rate之目的何在? 

　　答：因為要蝕刻到多少厚度的film,其中一個重要參數就是蝕刻率 

操作酸堿溶液時,應如何做好安全措施? 

　　答：(1) 穿戴防酸堿手套圍裙安全眼鏡或護目鏡(2) 操作區備有清水與水管以備不時之需(3) 操作區備有吸酸棉及隔離帶 

如何讓chamber達到設定的溫度? 

　　答：使用heater　和 chiller 

Chiller之功能為何? 

　　答：用以幫助穩定chamber溫度 

如何在chamber建立真空? 

　　答：(1) 首先確立chamber parts組裝完整(2) 以dry pump作第一階段的真空建立(3)當圧力到達100mTＤ寺再以turbo pump 抽真空至1mT以下 

真空計的功能為何? 

　　答：偵測chamber的壓力,確保wafer在一定的壓力下 process 

Transfer module 之robot 功用為何? 

　　答：將wafer 傳進chamber與傳出chamber之用 

何謂MTBC? (mean time between clean) ？

　　答：上一次wet clean 到這次wet clean 所經過的時間 

RF Generator 是否需要定期檢驗? 

　　答：是需要定期校驗;若未校正功率有可能會變化;如此將影響電漿的組成 

為何需要對etch chamber溫度做監控? 

　　答：因為溫度會影響制程條件;如etching rate/均勻度 

為何需要注意dry pump exhaust presure (pump 出口端的氣壓)? 

　　答：因為氣壓若太大會造成pump 負荷過大;造成pump 跳掉,影響chamber的壓力,直接影響到run貨品質 

為何要做漏率測試? (Leak rate ) 

　　答： (1) 在PM后PUMP Down 1~2小時后;為確保chamber Run 貨時,無大氣進入chamble 影響chamber GAS 成份(2) 在日常測試時,為確保chamber 內來自大氣的泄漏源,故需測漏 

機臺發生Alarm時應如何處理? 

　　答：(1) 若為火警,立即圧下EMO(緊急按鈕),并滅火且通知相關人員與主管(2) 若是一般異常,請先檢查alarm 訊息再判定異常原因,進而解決問題,若未能處理應立即通知主要負責人 

蝕刻機臺廢氣排放分為那幾類? 

　　答：一般無毒性廢氣/有毒酸性廢氣排放 

干式蝕刻機臺分為那幾個部份? 

　　答：(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真空系統 (5) GAS system (6) RF system